在电路中，NMOS经常用作下管，S极接地，用G极来控制管子的导通截止，很方便。 NMOS用作上管时，因为S极电平不确定，即G极电平也不好确定，很不方便。 PMOS经常用作上管，S极接固定的VCC，用G极来控制管子的导通截止。 用作下管时，因为S极电源不确定，无法 ...

随着对器件的控制需求提升，越来越多的电源开关电路出现在设计中。这些设计的目的各有不同：有的需要快速开通与关断，有的需要低导通电阻+大电流，有的需要闲时0功耗。虽然应用场合不同，但做开关可是MOS的强项。 下面来介绍几种产品设计中常用的MOS做 ...

在电路中，NMOS经常用作下管，S极接地，用G极来控制管子的导通截止，很方便。 NMOS用作上管时，因为S极电平不确定，即G极电平也不好确定，很不方便。 PMOS经常用作上管，S极接固定的VCC，用G极来控制管子的导通截止。 用作下管时，因为S极电源不确定，无法 ...

为特定CMOS工艺节点设计的SPICE模型可以增强集成电路晶体管的模拟。了解在哪里可以找到这些模型以及如何使用它们。 本文引用地址： 我最近写了一系列关于CMOS反相器功耗的文章。该系列中的模拟采用了LTspice库中预加载的nmos4和pmos4模型。虽然这种方法完全 ...

For years—decades, in fact—the NMOS transistor world has been on cruise control. NMOS is naturally faster and its performance has scaled better than PMOS. PMOS has had a cost advantage. But lately, it ...

PMOS transistors are less vulnerable to substrate noise since they’re placed in separate wells; designers implement guard rings to attenuate the substrate noise propagation. However, substrate noise ...

X-Fab Silicon Foundries has added 375V power transistors to the devices available from its 180nm deep trench isolation BCD-on-SoI platform chip fab. The second generation of its XT018 super-junction ...

LONDON — The high electron mobilities of some III-V compounds is making them prime candidates for future NMOS channel materials, with an indium-based gallium-arsenide (InGaAs) likely to be the ...